特種氣體是由兩大類氣體組成的。
 
一類為單元高純氣體,另一類為混合氣體。
 
到目前為止,特種氣體中單元純氣體共有260種。
 
 
其中:
 
電子氣體共114種,占總數的43.8%(實際常用的約44種);
 
有機氣體共65種,占總數的25%;
 
無機氣體共35種,占總數的13.4%;
 
鹵碳素氣體共29種,占總數的11%;
 
同位素氣體共17種,占總數的6.8%。
 
 
特種氣體的用途
 
本文專門介紹這260種單元高純特種氣體的用途。
 
1.氮氣-N2,純度要求>99.999%,用作標準氣、在線儀表標準氣、校正氣、零點氣、平衡氣；用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入、等離子干刻、光刻、退火、搭接、燒結等工序；電器、食品包裝、化學等工業也要用氮氣。
 
2.氧氣-O2,>99.995%,用作標準氣在線儀表標準氣、校正氣、零點氣；還可用于醫療氣；在半導體器件制備工藝中用于熱氧化、擴散、化學氣相淀積、等離子干刻等工序；以及用于光導纖維的制備。
 
3.氬氣-Ar,>99.999,用作標準氣、零點氣、平衡氣；用于半導體器件制備工藝中晶體生長、熱氧化、外延、擴散、氮化、噴射、等離子干刻、載流、退火、搭接、燒結等工序；特種混合氣與工業混合氣也使用氫。
 
4.氫氣-H2,>99.999%,用作標準氣、零點氣、平衡氣、校正氣、在線儀表標準氣；在半導體器件制備工藝中用于晶休生長、熱氧化、外延、擴散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結等工序；在化學、冶金等工業中也有用。
 
5.氦氣-He,>99.999%,用作標準氣、零點氣、平衡氣、校正氣、醫療氣；于半導體器件制備工藝中晶體生長、等離子干刻、載流等工序；另外,特種混合氣與工業混合氣也常用。
 
6.氯氣-Cl2,>99.96%,用作標準氣、校正氣；用于半導體器件制備工藝中晶體生長、等離子干刻、熱氧化等工序；另外,用于水凈化、紙漿與紡織品的漂白、下業廢品、污水、游泳池的衛生處理；制備許多化學產品。
 
7.氟氣-F2,>98%,用于半導體器件制備工藝中等離子干刻；另外,用于制備六氟化鈾、六氟化硫、三氟化硼和金屬氟化物等。
 
8.氨氣-NH3,>99.995%,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣；用于半導體器件制備工藝中氮化工序；另外,用于制冷、化肥、石油、采礦、橡膠等工業。
 
9.氯化氫-HCI,>99.995%,用作標準氣；用于半導體器件制備工藝中外延、熱氧化、擴散等工序；另外,用于橡膠氯氫化反應中的化學中間體、生產乙烯基和烷基氯化物時起氧氯化作用。
 
10.一氧化氮-NO,>99%,用作標準氣、校正氣；用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積主序；制備監控大氣污染的標準混合氣。
 
11.二氧化碳-CO2,>99.99%,用作標準氣、在線儀表標推氣、校正氣；于半導體器件制備工藝中氧化、載流工序警另外,還用于特種混合氣、發電、氣體置換處理、殺菌氣體稀釋劑、滅火劑、食品冷凍、金屬冷處理、飲料充氣、煙霧噴射劑、食品貯存保護氣等。
 
12.氧化亞氮-N2O,(即笑氣),>99.999%,用作標準氣、醫療氣；用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積、醫月麻醉劑、煙霧噴射劑、真空和帶壓檢漏；紅外光譜分析儀等也用。
 
13.硫化氫-H2S,>99.999%,用作標準氣、校正氣；用于半導體器件制備工藝中等離子干刻,化學工業中用于制備硫化物,如硫化鈉,硫化有機物；用作溶劑；實驗室定量分析用。
 
14.四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作標準氣；用于半導體器件制備工藝中外延丫、化學氣相淀積等工序；另外,用作溶劑、有機物的氯化劑、香料的浸出劑、纖維的脫脂劑、滅火劑、分析試劑、制備氯仿和藥物等。
 
15.氰化氫-HCN,>99.9,用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序；制備氫氰酸溶液,金屬氰化物、氰氯化物；也用于制備丙烯睛和丙烯衍生物的合成中間體。
 
16.碳酰氟-COF2,>99.99%,用于半尋體器件制備工藝中等離子干刻工序；另外,用作氟化劑。
 
17.碳酰硫-COS,>99.99%,用作校正氣；用于半導體器件制備工藝中離子注入工序；也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸鹽和噻唑的合成。
 
18.碘化氫-HI,>99.95%,用于半導體器件制備工藝中離子注入工序；還用于氫碘酸溶液制備。
 
19.嗅化氫-HBr,>99.9%,用于半導體制備工藝中等離子干刻工序；用作還原劑,制備有機及無機澳化合物。
 
20.硅烷-SiH4,>99.999%,電阻率>100Ω/cm2,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積等工序。
 
21.乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半導體制備工藝中化學氣相淀積。
 
22.磷烷-PH3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入等工序；磷烷與二氧化碳混合的低濃度氣體,可用于殺死糧倉的蟲卵和制備阻火化合物。
 
23.砷烷-AsH3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入等工序。
 
24.硼烷-B2H6,>99.995%,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、氧化等工序；用于有些化學工業合成過程:如氫硼化反應(即生成醇類),有機功能的衰退,制備較高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
 
25.鍺烷-GeH4,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
 
26.銻烷-SbH3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
 
27.四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
 
28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣；用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序；還用于冶金工業的熱處理,化學工業中制備乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇類、乙醛等。
 
29.丙烷-C3H8,>99.99%,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣；用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序；另外,用于燃料、冷凍劑、制備乙烯與丙烯的原料。
 
30.硒化氫-H2Se,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序。
 
31.碲化氫-H2Te,>99,999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序。
 
32二氯二氫硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
 
33.三氯氫硅-SiHCl3,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
 
34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序。
 
35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。
 
36.二甲基鋅(CH5)2Zn,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
 
37.二乙基鋅(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。
 
38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中擴散,鍺的外延生長和離子注入工藝；PCl3是有機物的良好氯化劑；也用于含磷有機物的合成。
 
39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中的外延和離子注入。
 
40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等離子干刻、擴散；作硼載氣及一些有機反應的催化劑；精煉鎂、鋅、鋁、銅合金時從溶化金屬中除掉氮、碳、氧化合物。
 
41.四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
 
42.四氯化錫-SnCl4,>99.99%,用于外延、離子注入。
 
43.四氯化鍺-GeCl4,>99.999%,用于離子注入。
 
44.四氯化欽-TiCl4,>99.99%,用于等離子干刻。
 
45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、離子注入。
 
46.五氯化銻-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、離子注入。
 
47.六氯化鑰-MoCl6,>99.9%,用于化學氣相淀積。
 
48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中離子注入工序和制備光導纖維。
 
49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、離子注入。
 
50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于擴散工序。